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常见LED芯片的特点

2019-06-14

一、MB芯片


定义:METAL BONDING(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。


特点: 1.采用高散热系数的材料---SI 作为衬底、散热容易。


      2.通过金属层来接合(WAFER BONDING)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。


      3.导电的SI衬底取代GAAS衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3-4倍),更适应于高驱动电流领域。


      4.底部金属反射层、有利于光度的提升及散热


      5.尺寸可加大、应用于HIGH POWER领域、ER:42MIL MB 深紫外led


二、GB芯片

深紫外LED

定义:GLUE BONDING(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品


特点:1.透明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS(ABSORBABLE STRUCTURE)芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似        TS芯片的GAP衬底。


      2.芯片四面发光、具有出色的PATTERN


      3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准(8.6mil)


      4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差与TS单电极芯片


三、TS芯片


定义:transparent structure(透明衬底)芯片、该芯片属于HP的专利产品。

深紫外LED

特点: 1.芯片工艺制作复杂、远高于AS LED


      2.信赖性卓越


      3.透明的GAP衬底、不吸收光、亮度高



四、AS芯片


定义:ABSORBABLE STRUCTURE(吸收衬底)芯片


特点: 1.四元芯片、采用MOVFE工艺制备、亮度项对于常规芯片要亮


      2.信赖性优良


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