很多人会紫外LED芯片为什么能够发光，它到底是如何实现的呢？下面小编给大家简单介绍一下吧。

外延生长

紫外LED芯片一般都是用MOCVD（有机金属化学气相沉积）来长外延片。

首先把蓝宝石或氮化铝基板放进反应腔，高温下让各种气体在上面一层一层长成你要的结构。

UVA（365~405nm）比较好长，用的是InGaN 系材料

UVB、UVC（300nm以下）就难多了，用的是AlGaN 系材料，铝含量越高，越难搞。

光刻

外延片不能直接用，需要经过光刻，就是用光刻胶把图案画上去。

紫外LED由于材料差，电流扩散本来就不如蓝光，所以光刻设计比可见光LED更挑剔。

刻蚀

最关键的就是 ICP 刻蚀（等离子刻蚀），把部分 P 层刻开，让电极能接触到更深层。

尤其是UVC 必须要凹槽刻蚀，因为铝含量太高，P 层导电性差，必须刻掉一部分结构。

刻蚀刻深一点，电流扩散好一点

刻浅一点，发光效率好一点

金属电极制作

紫外LED的电极不是随便画两个点，它得能承受高温、抗腐蚀，还不能吸收紫外光。

划片

用激光划片（UV 激光或绿光激光），把整片切成：

10x10 mil； 20x20 mil；30x30 mil或更大的 45mil、55mil UVC

切得不好，芯片边缘容易爆裂，良率直线掉。

以上给大家介绍的这些就是紫外LED芯片的生长工艺，如果您还有想了解的话，欢迎随时联系我们。