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高功率紫外芯片优缺点分析

2025年12月01日
219次

我们都知道高功率紫外芯片在日常生活中应用的十分广泛,那么你知道其主要有哪些优缺点吗?下面一起来看下吧。

优点体现:

光功率高,处理效率快

高功率芯片发出的紫外光更集中、能量密度高:杀菌效率更高(尤其是 UVC 区间)、固化速度更快(UVA)、光化学反应触发更容易

在产线设备上,功率越高,产能越高,这是直接省钱的地方。

功率密度高,光斑更小,更容易做准直

高功率紫外芯片

高功率芯片结构一般偏大晶粒(LLO、薄膜、倒装结构更常见),出光面大、亮度高,光学设计空间更大:更容易配光、用透镜做成高照度光斑更稳定、适合做点光源、线光源

这也是为什么很多 UV 固化头、紫外曝光模块会优先选大功率芯片。

寿命比汞灯长得多,且不含汞

对比传统汞灯的直观改善:启动快,不用预热、寿命长得多(5000–15000小时)、不会产生臭氧(UVA/UVB 基本没有 UVC 才会)、工厂安全合规更容易

缺点体现:

发热量大,散热要求极高

功率越大,结温越高,紫外 LED 最怕的就是高结温。

问题包括:光衰加速、波长漂移、芯片早期失效、封装老化、硅胶黄化

高功率 UVC 芯片甚至需要铜基板 + 热沉 + 风冷/水冷才能压住温度。

高功率紫外芯片

成本高,产能不如低功率

大功率紫外芯片的晶粒更大、外延更难做,良率低很多。

尤其是 UVC(AlGaN 系列):外延应力高、缺陷密度大、做大功率时容易崩溃

所以高功率 UVC 价格非常贵,远比 UVA 高数倍。

以上给大家介绍的这些就是高功率紫外芯片的优缺点,希望您看完会有一个清晰的认知。

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