我们都知道进口紫外芯片在日常生活中应用的十分广泛，那么你知道其光衰率怎么样呢？下面一起来看下吧。

进口紫外芯片光衰率整体表现如何？

光衰率低

进口紫外芯片一般采用更稳定的外延和光提取设计，因此光衰表现较好：1000小时点亮后光衰一般在 10%～25%、优质产品甚至可以做到<10%、国产普通芯片可能会出现20%～40%或更高

为什么进口紫外芯片光衰低？

主要差异来源于核心工艺：

外延质量更高

进口厂商外延片缺陷密度低，晶体完整性更好 → 耐热、耐光冲击能力强。

更先进的光提取结构

比如侧发光结构、反射镜优化、出光窗口设计 → 能降低热集中，从而减少衰减。

抗紫外老化材料更好

窗口片、封装胶材质不同，也会导致 UV 老化快慢差异巨大。

进口紫外芯片光衰整体比国产低一个台阶，同条件下寿命更长、衰减更慢。

但最终光衰还和封装和散热设计密切相关——芯片好，封装不好照样衰得快。